Laporan Akhir Self Bias

[KEMBALI KE MENU SEBELUMNYA]

DAFTAR ISI

1. Jurnal

2. Prinsip Kerja

3. Video Percobaan

4. Analisa

5. Video Penjelasan  

6. Download File  

1. Jurnal[Kembali]

2. Prinsip Kerja[Kembali]

Rangkaian Self-bias merupakan jenis susunan polarisasi pada transistor bipolar yang didesain untuk memastikan bahwa transistor beroperasi pada wilayah aktifnya dengan optimal dalam menguatkan sinyal input. Prinsip kerja dari rangkaian self-bias melibatkan pemanfaatan resistor sebagai komponen untuk menentukan titik kerja transistor. Transistor bipolar memiliki dua jenis polarisasi dasar, yaitu polarisasi basis-emitor (VBE) dan polarisasi basis-kolektor (VBC). Dalam konteks rangkaian self-bias, perhatian utama diberikan pada polarisasi basis-emitor.Adanya tegangan antara basis dan emitor (VBE) diperlukan agar transistor dapat berfungsi dalam mode aktif. 

Biasanya, tegangan VBE memiliki rentang sekitar 0,6 hingga 0,7 volt untuk transistor silikon. Dalam perancangan rangkaian self-bias, pemilihan resistor basis (RB) dan resistor kolektor (RC) dilakukan secara hati-hati karena nilai-nilai resistor ini akan memengaruhi titik kerja transistor. Tegangan catu daya (Vcc) yang diberikan ke transistor juga memainkan peran penting dalam menentukan titik kerja transistor, yaitu tegangan yang diterapkan antara kolektor dan emitor. Rangkaian pembagi tegangan terbentuk dari resistor basis (RB) dan resistor kolektor (RC), di mana tegangan Vcc dibagi antara keduanya.

Nilai VBE yang dihasilkan dari pembagian ini harus lebih tinggi daripada nilai VBE yang diperlukan untuk menjaga transistor tetap dalam mode aktif. Rangkaian self-bias didesain dengan tujuan mencapai stabilitas tegangan bias (VBE) terhadap fluktuasi suhu dan variasi parameter transistor. Ini menjadi salah satu keunggulan utama dari rangkaian ini. Setelah rangkaian diatur, transistor akan berada pada titik kerja yang stabil, memungkinkannya untuk menguatkan sinyal input dengan baik. Titik kerja ini dapat ditentukan melalui analisis kurva karakteristik transistor dan memastikan bahwa transistor beroperasi dalam wilayah aktifnya. Sebagai tambahan, transistor akan siap untuk menguatkan sinyal input dengan gain yang diinginkan sesuai dengan kebutuhan aplikasi, di mana VCE menjadi tegangan kolektor-emitor.

3. Video Percobaan[Kembali]

4. Analisa[Kembali]

1. Analisa prinsip kerja dari rangkaian self bias berdasarkan nilai parameter yang didapatkan ketika percobaan

jawab : 

Setelah dilakukan praktikum, kita telah mendapat nilai pengukuran untuk masing masing parameter, dimana nilai RB(resistor basis)=9910 ohm, RC(resistor kolektor)=983 ohm, dan RE(resistor emitor)= 465 ohm (pada self bias terdapat resistor di antara terminal emitor dengan ground). nilai pengukuran dari masing masing hambatan tersebut hampir mendekati nilai sebenarnya, dan selisih yang ada tersebut dikarenakan adanya ralat yang wajar terjadi.

saat transistor dalam keadaan on/aktif, maka VCC 12 volt akan mengalirkan arus ke RB dan RC dan ujung ujungnya akan berakhir melalui emiter menuju ground. maka terdeteksi arus base IB= 0.0007A dan arus kolektor IC=0.0065mA. Dari aliran arus tersebut kita dapat mengukur VRB=7.24V, VRC=11.37V, VRE=3.38V. dan untuk tegangan pada masing masing kaki/terminalnya VB=1.374V, VC=2,16V, VE=3.371V. Lalu kita juga akan mendapat nilai dari tegangan antara base-emitor VBE=1.344V dan kolektor-emitor VBC=2.119V.

2. Tentukan titik kerja (Q Point) dari percobaan self bias (dalam bentuk grafik) 

jawab : 

3. Nilai apakah yang mempengaruhi perubahan titik kerja (Q point)

jawab : 

• Resistor basis (RB): Besarnya resistor basis menentukan seberapa besar arus basis yang mengalir. Arus basis yang lebih kecil akan menghasilkan arus kolektor yang lebih kecil, dan titik kerja Q point akan terpengaruh.
• Resistor kolektor (RC): Besarnya resistor kolektor menentukan seberapa besar arus kolektor yang mengalir. Arus kolektor yang lebih kecil akan menghasilkan tegangan kolektor-emitor yang lebih rendah, dan dapat terjadi pergeseran titik kerja Q point.
• Variasi parameter transistor: Variasi parameter transistor, seperti hfe atau beta, dapat menyebabkan titik kerja Q point bergerak ke atas atau ke bawah pada kurva karakteristik transistor.
• Tegangan catu daya (Vcc): Besarnya tegangan catu daya menentukan seberapa besar tegangan kolektor-emitor. Tegangan kolektor-emitor yang lebih tinggi akan menyebabkan titik kerja Q point bergerak ke atas pada kurva karakteristik transistor.
• Nilai VBE yang dihasilkan: Nilai VBE yang dihasilkan oleh pembagian tegangan melalui resistor basis dan resistor kolektor harus lebih besar dari nilai VBE yang diperlukan agar transistor tetap beroperasi dalam mode aktif. Perubahan nilai ini dapat mempengaruhi titik kerja Q point.

5. Video Penjelasan[Kembali]

6. Download File[Kembali]

Download video percobaan [disini]

Download video penjelasan [disini]